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　　臺(tái)積電：搶跑“3nm時(shí)代”

　　此前，臺(tái)積電公司首席財(cái)務(wù)官Wendell Huang表示，受5G智能手機(jī)、高性能計(jì)算和信息技術(shù)相關(guān)應(yīng)用的推動(dòng)，市場(chǎng)對(duì)由臺(tái)積電代工的5nm和7nm制程芯片的強(qiáng)勁需求將提振其第三季度的銷售業(yè)績(jī)。

　　從臺(tái)積電上一季度財(cái)報(bào)表現(xiàn)來(lái)看，16nm和7nm工藝仍是該公司第二季度營(yíng)收的主要來(lái)源。其中，16nm工藝貢獻(xiàn)了18%的營(yíng)收，7nm工藝貢獻(xiàn)了36%的營(yíng)收，而28nm工藝則貢獻(xiàn)了14%的營(yíng)收。

　　雖然未披露5nm工藝的營(yíng)收狀況，但從當(dāng)前5nm工藝芯片的應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)看，主要被華為、蘋果兩大手機(jī)廠商分走了臺(tái)積電大部分5nm產(chǎn)能，主要就是為了即將搭載在各自年度旗艦手機(jī)上的麒麟9000芯片和蘋果A14芯片。

　　在最新的先進(jìn)工藝制程研發(fā)上，臺(tái)積電在技術(shù)研討會(huì)上再次拋出重磅消息：N3 3nm工藝研發(fā)取得重大突破，計(jì)劃3nm芯片在2021 年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2022 年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　資料顯示，臺(tái)積電3nm工藝不會(huì)像三星那樣選擇GAA晶體管技術(shù)，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術(shù)進(jìn)行開發(fā)。N3 3nm工藝與N5 5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10~15%，相同性能下功耗減少約25~30%，前者邏輯區(qū)域密度提升1.7倍，但SRAM密度僅提升20%，模擬電路部分密度提升約10%，因此芯片層面上可能僅縮小26%左右。