據媒體報道，美國智庫戰略與國際問題研究中心的高級副總裁以及技術政策項目主任詹姆斯·劉易斯表示：“中國國家對于半導體的投資可能是美國的近1000倍，而這樣的實力對比，不管怎么說都無法贏。”并且他認為到目前為止，美國在這場競技賽中遙遙領先，而中國還在后面努力地追趕，然而美國如今存在的最大劣勢就是“不愿意花錢”。

　　之前報道：

　　9 月 7 日消息 上周末有關第三代半導體將寫入 “十四五規劃”的消息引起廣泛關注，據權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的 “十四五”規劃，計劃在 2021-2025 年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。

　　什么是第三代半導體？按業內定義，第三代半導體材料是指帶隙寬度明顯大于硅（Si）的寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特，又被稱為寬禁帶半導體材料。其具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。

　　在業內人士看來，第三代半導體更重要的意義是在功率器件領域，通過其特殊的材料特性，改進相關芯片及器件性能。

　　IT之家了解到，目前，德國的英飛凌、日本的羅姆和美國的 Transphorm 是第三代半導體的主要供應商，但中國巨大的市場需求最能支持國產供應的發展，許多中國半導體企業正在積極進行第三代半導體方面的部署。碳化硅制造商北京天科合達半導體公司剛剛在 2020 年 7 月提交了在上海證券交易所科創板上市的申請，碳化硅模塊和解決方案提供商忱芯科技也在 8 月完成了來自天使投資人的新一輪融資。華為通過其投資部門哈勃科技投資持有 10% 股份的天岳晶體，也投資 30 億元人民幣（4.3916 億美元）在湖南長沙建設 SiC 工廠。