據物理學家組織網23日 報道，美國科學家研制出了迄今最小的存儲設備，其橫截面積僅1平方納米，容量約為25兆比特/平方厘米，與目前的商用閃存設備相比，每層的存儲密度提高了100倍。研究人員表示，最新研究有助于科學家研制出更快、更小、更智能、更節能的芯片，應用于從消費電子到類腦計算機等多個領域。

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　　據外媒New Atlas報道，得克薩斯大學的工程師們創造了有史以來最小的記憶存儲設備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個原子的運動來工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統鋪平道路。

　　這種新設備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻（Memristors），它使用電阻開關存儲數據。從本質上講，當某種材料暴露在一定的電壓下時，其電阻可以切換，變得更強或更弱。這種現象可用于將數據寫入設備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數據。

　　在這種情況下，這種電阻開關是通過單原子移入和移出納米級孔來處理的，這將改變材料的導電性。有關材料是二硫化鉬，盡管該團隊表示，這一概念也應該適用于一系列類似的材料。

　　“縮放的科學圣杯是下降到一個原子控制記憶功能的水平，這就是我們在新研究中完成的，”該研究的相應作者Deji Akinwande說。

　　該團隊表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個原子。如果要擴大規模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運行所需的能量也更少。

　　“這項工作取得的成果為開發未來一代應用鋪平了道路。。。。。。如超密集存儲、神經形態計算系統、射頻通信系統等。”美國陸軍研究辦公室項目經理Pani Varanasi說。

　　該研究成果發表在《自然-納米技術》雜志上。