為加強光伏行業(yè)管理，引導產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級和結(jié)構(gòu)調(diào)整，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關法律法規(guī)及《國務院關于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)〔2013〕24 號），按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應用的原則，制定本規(guī)范條件。本規(guī)范條件是鼓勵和引導行業(yè)技術進步和規(guī)范發(fā)展的引導性文件，不具有行政審批的前置性和強制性。

　　一、生產(chǎn)布局與項目設立

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項目應符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。

　?。ǘ┰趪曳煞ㄒ?guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準的自然保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、生態(tài)功能保護區(qū)，已劃定的永久基本農(nóng)田，以及法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應按照法律法規(guī)要求拆除關閉，或嚴格控制規(guī)模、逐步遷出。

　?。ㄈ┮龑Ч夥髽I(yè)減少單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項1目，加強技術創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴建多晶硅制造項目，最低資本金比例為 30%，其他新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為 20%。

　　二、工藝技術

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應采用工藝先進、安全可靠、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術和設備，并實現(xiàn)高品質(zhì)產(chǎn)品的批量化生產(chǎn)。

　?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應和售后服務能力；每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的 3%且不少于 1000 萬元人民幣，鼓勵企業(yè)取得省級以上獨立研發(fā)機構(gòu)、技術中心或高新技術企業(yè)資質(zhì)；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于上一年實際產(chǎn)能的 50%。

　?。ㄈ┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T 25074）或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級品的要求。

　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命不低于 2μs，碳、氧含量分別小于 10ppma 和 12ppma；P 型單晶硅片少子壽命不低于 50μs，N 型單晶硅片少子壽命不低于 500μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 14ppma。

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 19%和 22.5%。

　　4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 17%和 19.6%。

　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜組件的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 12%、15%、14%、14%。

　　6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于96.5%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于98%（單相二級拓撲結(jié)構(gòu)的光伏逆變器相關指標分別不低于94.5%和 97.3%），微型逆變器相關指標分別不低于 95%和95.5%。