（四）新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《電子級多晶硅》（GB/T 12963）3 級品以上要求或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級品的要求。

　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命不低于 2.5μs，碳、氧含量分別小于 6ppma 和 8ppma；P 型單晶硅片少子壽命不低于 80μs，N 型單晶硅片少子壽命不低于 700μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 14ppma。

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于 20.5%和 23%。

　　4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于 18.4%和 20%。

　　5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜組件的平均光電轉換3效率分別不低于 13%、16%、15%、15%。

　?。ㄎ澹┚Ч杞M件衰減率首年不高于 2.5%，后續每年不高于 0.6%，25 年內不高于 17%；薄膜組件衰減率首年不高于5%，后續每年不高于 0.4%，25 年內不高于 15%。

　　三、資源綜合利用及能耗

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節約集約用地。

　?。ǘ┕夥圃祉椖侩姾膽獫M足以下要求：

　　1.現有多晶硅項目還原電耗小于 60 千瓦時/千克，綜合電耗小于 80 千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于50 千瓦時/千克，綜合電耗小于 70 千瓦時/千克。

　　2.現有硅錠項目平均綜合電耗小于 7.5 千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于 6.5 千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合電耗的增加幅度不得超過 0.5 千瓦時/千克。

　　3.現有硅棒項目平均綜合電耗小于 30 千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于 28 千瓦時/千克。

　　4.現有多晶硅片項目平均綜合電耗小于 25 萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于 20 萬千瓦時/百萬片；現有單晶硅片項目平均綜合電耗小于 20 萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于 15 萬千瓦時/百萬片。

　　5.晶硅電池項目平均綜合電耗小于 8 萬千瓦時/MWp。

　　6.晶硅組件項目平均綜合電耗小于 4 萬千瓦時/MWp，薄4膜組件項目平均電耗小于 50 萬千瓦時/MWp。

　?。ㄈ┕夥圃祉椖可a水耗應滿足以下要求：

　　1.多晶硅項目水循環利用率不低于 95%；

　　2.硅片項目水耗低于 1300 噸/百萬片；

　　3.P 型晶硅電池項目水耗低于 750 噸/MWp，N 型晶硅電池項目水耗低于 900 噸/MWp。

　　（四）其他生產單耗需滿足國家相關標準。

　　四、智能制造和綠色制造

　　（一）鼓勵企業將自動化、信息化及智能化等貫穿于設計、生產、管理和服務的各個環節，積極開展智能制造，提升本質安全水平，降低運營成本，縮短產品生產周期，提高生產效率，降低產品不良品率，提高能源利用率。

　?。ǘ┕膭钇髽I參與光伏行業綠色制造相關標準制修訂工作。參照光伏行業綠色制造相關標準要求，建設綠色工廠，生產綠色設計產品，打造綠色供應鏈，并開展綠色設計產品、綠色工廠、綠色供應鏈等評價工作。鼓勵企業在生產制造過程中優先使用綠色清潔電力，可采用購買綠色電力證書等方式滿足綠色制造要求。

　　（三）鼓勵企業落實生產者責任延伸制度，建立廢棄光伏產品回收與利用處理網絡體系。